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教師信息

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  • 姓名:

    彭銘曾
  • 性別:

  • 職稱:

    副教授
  • 所在係所:

    應用物理係
  • 所在梯隊:

    半導體物理與器件梯隊
  • 辦公地點:

    理化樓129
  • 電子郵件:

    mzpeng@ustb.edu.cn
  • 研究生課程:

    光譜技術與應用
  • 研究領域:

    低維半導體材料製備、異質結構構築及其磁光機電耦合效應 半導體光電子陣列、微顯示技術與智能傳感 柔性半導體材料設計、製備與光電子器件應用 AlGaN/GaN二維電子氣材料設計、高頻功率器件與MMIC電路 GaN基微電子和光電子功能材料的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)

工作經曆

    2008年畢業於中國科學院物理研究所,獲得理學博士學位。隨後在中國科學院微電子研究所,開展GaN基微電子材料、高頻功率器件與單片集成電路研究。
    2012年9月進入中國科學院北京納米能源與係統研究所,任副研究員,碩士生導師,主要從事寬禁帶半導體光機電耦合效應及其新型功能器件研究。
    2016年11月起加入爱游戏网页版入口 應用物理係,任副教授,碩士生導師。目前重點集中於半導體光電子陣列與微顯示技術、磁光機電多場耦合物理與新型多功能器件,並麵向多功能自驅動智能傳感、人機交互、柔性光機電一體
    化集成、高效光電轉換與能源收集等領域中的應用。
    現主持國家自然科學基金項目一項和中科院人才項目一項,2015年入選中國科學院青年創新促進會會員,曾以核心骨幹參與並完成了GaN基材料和光電器件方麵核高基、973計劃和國家自然科學基金重大項目等多項課題。
    至今已在SCI收錄雜誌上發表論文40餘篇,多項創新性成果發表在Advanced Materials、ACS Nano、Nano Energy等國際權威期刊上,申請發明專利13項,授權9項,參加重要國際會議報告6次。

科研業績

    代表性論文:
    1. M. Z. Peng, et al. Flexible Self-Powered GaN Ultraviolet Photoswitch with Piezo-Phototronic Effect Enhanced On/Off Ratio. ACS NANO, 10, 1572-1579 (2016).
    2. M. Z. Peng, et al. High-resolution dynamic pressure sensor array based on piezo-phototronic effect tuned photoluminescence imaging. ACS Nano, 9, 3143-3150 (2015).
    3. M. Z. Peng, et al. Magnetic-mechanical-electrical-optical coupling effects in GaN-based LED/rare-earth Terfenol-D structure, Advanced Materials, 26, 6767-6772 (2014).
    4. K. Zhang+, M. Z. Peng+(co-first author), et al. A Flexible p-CuO/n-MoS2 Heterojunction Photodetector with Enhanced Photoresponse by Piezo-phototronic Effect. Mater. Horiz. 4, 274-280 (2017).
    5. A. H. Zhang+, M. Z. Peng+(co-first author), et al. Piezoelectric and Deformation Potential Effects of Strain-Dependent Luminescence in Semiconductor Quantum Well Structures. Nano Research. 10, 134-144 (2017).
    6. X. Q. Shi+, M. Z. Peng+(co-first author), et al. A Flexible GaN Nanowire Array-Based Schottky-Type Visible Light Sensor with Strain-Enhanced Photoresponsivity. Adv. Electron. Mater. 1, 1500169 (2015).
    7. C. H. Liu, M. Z. Peng, et al. Interface engineering on p-CuI/n-ZnO heterojunction for enhancing piezoelectric and piezo-phototronic performance. Nano Energy. 26, 417-424 (2016).
    8. M. Z. Peng, et al. Effect of pinch-off current leakage characteristics on microwave power performances of AlxGa1-xN/GaN HEMTs. Solid State Electronics, 80, 1-4 (2013).
    9. M. Z. Peng, et al. 14.2 W/mm internally-matched AlGaN/GaN HEMT for X-band applications. Solid State Electronics. 64,63-66 (2011).
    10. M. Z. Peng, et al. X-band AlGaN/GaN HEMTs with high microwave power performance. Sci China Phys Mech Astron, 54, 442-445 (2011).
    11. M. Z. Peng, et al. Post-process thermal treatment for microwave power improvement of AlGaN/GaN HEMTs. Microelectronics Engineering. 87, 2638-2641 (2010).
    12. M. Z. Peng, et al. Characteristics of silent B1H mode in AlxGa1-xN alloys observed by Raman scattering. Journal of Alloys and Compounds. 473, 473-476 (2009).
    13. M. Z. Peng, et al. Reducing dislocations of Al-rich AlGaN by combining AlN buffer and AlN/Al0.8Ga0.2N superlattices. Journal of Crystal Growth. 310, 1088-1092 (2008).
    14. M. Z. Peng, et al. Effect of growth temperature of initial AlN buffer on the structural and optical properties of Al-rich AlGaN. Journal of Crystal Growth. 307, 289-293 (2007).

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